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导读: 在整个电子产业链中,存储芯片扮演着至关重要的角色,它好比行军打仗的粮草,也被誉为电子系统的“粮仓”。存储芯片分为闪存和内存,闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,内存主要为 DRAM,本文将主要给大家讲解DRAM芯片市场及“三足鼎立”的局面是如何形成的。

在整个电子产业链中,存储芯片扮演着至关重要的角色,它好比行军打仗的粮草,也被誉为电子系统的“粮仓”。存储芯片分为闪存和内存,闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH,内存主要为 DRAM,本文将主要给大家讲解DRAM芯片市场及“三足鼎立”的局面是如何形成的。

“三足鼎立”的DRAM芯片市场是如何形成的?

多年未变的DRAM市场格局

DRAM内存主要用于电脑、手机和部分消费电子产品,据相关数据,2017年全球DRAM市场达568亿美元,较2016年增长38.0%。目前DRAM市场被韩国三星、海力士和美国镁光三家垄断,占据八成以上的份额,最巅峰的时候它们三家垄断全球DRAM市场95%的市场份额。据OFweek电子bet36体育在线网网了解到,三星在DRAM市场称霸多年,已连续多年霸占市场第一,市场份额过半。

韩国的DRAM内存发展迅速,并占领全球一半以上的市场,一方面得益于它们对这块市场的重视和提前布局,另一方面在于三星和海力士强大的技术支持。美国本来就是半导体的发源地,再难的技术也难不倒它们。曾经有段时间,台湾的DRAM企业风起云涌,试图挑战这三巨头的地位,也出现了南亚、力晶、力积、珏创、晶豪等有一定影响力的企业,但终因这三家巨大的实力而无法撼动其地位。

2018年DRAM内存市场仍然有很大增长空间,最近三星公布的第三季度财报显示,DRAM内存为其带来了丰厚的营收和利润,今年除了电脑、手机等传统需求,智能电子产品和汽车是一个关键的驱动力。

造成DRAM市场“三足鼎立”的原因

一、技术难度高、研发周期长、投入大

存储器产品有自身的特点,它的设计投入非常大,同时研发周期也很长,当然它的成本和售价也不低。DRAM芯片的研发难度很高,是典型的尖端科技产品。DRAM的技术难度在于随着半导体制程的减小,电容器会受到直接穿隧电流的因素而难以微缩,且电容值也难增加。有专家预测,15nm是接近DRAM的物理极限,未来若想缩小线宽,只得开发新的材质。

随着半导体制程的缩写,DRAM芯片的研发周期增长了,以三星为例,它们正在研发的17nmDRAM预计明年进入量产阶段,但16nmDRAM的研发最快量产时间也要达到2020年,制程提升后面的研发难度会越来越大。

DRAM技术的投入太大导致很多企业无法承受,动辄几百亿。据悉,三星曾投资近百亿美金加大研发最新的DRAM技术。而国内的合肥长鑫与兆易创新联合投入百亿研发技术,这也让很多企业望而却步。

二、市场和工艺的更新周期太快

市场对DRAM芯片的需求也不是一成不变,从电脑到手机,再到汽车、消费电子,再到智能产品等,DRAM市场的变化也让中小企业步步为难。DRAM芯片从70nm到16nm,再到10nm等,由于薄膜厚度无法继续缩减,靠缩减尺寸很难提升性价比,工艺上的创新才是当前进步的关键。

三、跨不过的“专利坑”

对于初创企业而言,专利一直是半导体领域越不过的坎。美光半导体和福建晋华就因为专利问题,双方弄得不愉快。据悉,美光的多款自有品牌产品涉嫌侵害晋华专利,包含2TB 、500GB 的固态硬盘和相关侵权芯片。

三星和海力士在这个领域拥有很多的专利,三星早在上个世纪初开发出了全球第一个生产DRAM内存芯片的70纳米技术,当时已经为这个新技术申请了一项专利,如果想成为DRAM市场的巨头,除了与它们合作,其它的办法就是越过它们研发的专利,另辟蹊径。

四、独有工厂是这个市场的特点

三星、海力士和美光三家企业均拥有自己的DRAM内存芯片工厂,它们拥有自己的工艺。而对于很多中小型DRAM企业,没有工厂,很难保证产品良率和性价比。如三星每个月是350万片,假设投片没有大幅度增加,则必须要靠工艺来维持年成长,SK海力士和美光的工艺工厂也均有自己的优势。国内近年来也有很多企业建厂,但都是小批量,很难保证大产能的DRAM芯片的良率。

垄断格局仍未改变

三家企业垄断一直是这个行业的特点,正因如此,多年来DRAM芯片涨价不断,这些企业赚翻了天,净利润高达50%以上,三星甚至达到了80%。对于很多中小企业而言,它们也想改变DRAM市场的格局,很多国家想过通过“反垄断”改变行业现状,但仍旧无济于事。

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